德國Behlke高壓開關HTS40-1000-SC介紹

德國Behlke高壓開關HTS40-1000-SC介紹

　　BEHLKE

　　BEHLKE電子開關、BEHLKE高壓發生器。優勢提供!

　　德國貝克公司地處法蘭克福西北約20公里的衛星鎮克龍貝格，專業生產大電壓和大電流的MOSFET、IGBT、快速可恢復高電壓二極管、抗感應散裝陶瓷電阻、陶瓷電容器等模塊。德國貝克公司具有強大的技術實力、超穩定的產品、標準模塊化的設計等優點在高壓高電流半導體器件行業處于***地位。特別是在某些超高壓超電流領域更是***行業

　　主要應用：需要產生高電壓快速脈沖的場合,例如：快速脈沖群發生器，泡克耳斯盒驅動器，雷達調節器等。它擁有納秒級的的上升沿時間，能輸出較大脈沖電流。它與傳統的真空電子管相比，有速率高，輸出阻抗低，壽命長，驅動簡單，功耗小等特點。

　　本開關的觸發輸入電壓為3~5.5V，輸出脈沖固定寬度為200nS 。輸出脈沖上升沿本質上與工作電壓，負載電容，分布電容和分布電感有關。在優化的布線和布局設計下上升沿可以達到小于3nS。它的電氣絕緣超過10KV, 能輸出正極性和負極性的脈沖。　　連接及操作：應用時應注意電源電壓不能高于5.5V以及極性不能接反,否則會有損壞電子開關的危險。為避免開機時產生過大的浪涌電流和保護開關應該限制電源電流在1A以下，或使用1A的供電電源供電。

　　在中間位置的三個引腳,它們在內部連接到一起為開關的高壓負極。另三個一排的引腳也是在內部連接到一起為開關的高壓正極。應用時應注意將它們分別連接到一起。

　　常見型號HTS 160-01，HTS 60-200-SCR,HTS 80-03

　　Behlke電源型(HTS50-05

　　behlke HTS 31-03-GSM

　　Behlke Electronic GmbH 編碼器 HTS60-16

　　Behlke Electronic GmbH 編碼器 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 編碼器 HTS50-12

　　Behlke Electronic GmbH 高壓開關 HTS 81-06-GSM+OPTION I-HFB+OPTION CF VII

　　Behlke Electronic GmbH 高壓電子開關 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 高壓電子開關 HTS 80-03 Option HFS,Option OT/1u

　　Behlke Electronic GmbH 高壓電子開關 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 高壓電子開關 HTS 80-03 Option HFS,Option OT/1u

　　Behlke Electronic GmbH 高壓電子開關 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 高壓電子開關 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 開關 HTS 30-08-UF

　　Behlke Electronic GmbH 高壓開關 HTS 81-06-GSM+OPTION I-HFB+OPTION CF VII

C1-C8 MOSFET開關是一種基于金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的開關電路。它通常由極耦電路和輸入/輸出保護電路組成，用于控制高電壓或高電流負載的通斷。

MOSFET是現代電子設備中常用的器件之一，具有低電阻、快速開關速度和高頻響特性。C1-C8 MOSFET開關利用了MOSFET的優勢，實現高效能的開關功能。

在C1-C8 MOSFET開關電路中，使用MOSFET作為主要的開關元件。當輸入信號為高電平時，MOSFET處于導通狀態，將電源連通到負載上，使負載工作；而當輸入信號為低電平時，MOSFET處于截止狀態，從而切斷了電源與負載之間的連接，停止負載工作。

此外，C1-C8 MOSFET開關電路還會提供適當的輸入和輸出保護電路，以保護MOSFET和其他電路免受過電流、過壓等不良影響。這些保護電路可以包括電阻、二極管、穩壓器等元件，幫助防止潛在的損壞或故障。

總結來說，C1-C8 MOSFET開關是一種常用的電路設計，通過控制MOSFET的導通與截止狀態，實現了對高電壓或高電流負載的可靠通斷控制。

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